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高精度窄脉宽单极性脉冲电源 赋能半导体蚀刻与微纳加工
日期:2025/12/8 12:58:47 人气:69

在半导体干法蚀刻、微纳结构加工、MEMS器件制造、高精度光刻配套等高端半导体场景中,脉冲电源的脉宽控制精度、高频输出稳定性、能量投递均匀性直接决定蚀刻精度、微纳结构完整性及器件最终性能。传统单极性脉冲电源普遍存在高频窄脉宽输出畸变、能量波动大、抗干扰能力弱等问题,常导致蚀刻线条边缘粗糙、微纳结构尺寸偏差、器件良率偏低等痛点。而具备“高精度窄脉宽控制”“高频稳定输出”特性的单极性脉冲电源,已成为破解半导体高端加工工艺难题的核心装备,契合半导体产业向微纳级精度升级的发展需求。

苏州渊禄智能科技有限公司聚焦半导体高端加工领域的严苛供电需求,推出新一代高精度窄脉宽单极性脉冲电源,凭借核心技术突破助力半导体蚀刻与微纳加工工艺升级。该产品实现三大核心技术升级:一是高频窄脉宽精准调控,支持脉冲频率1MHz-50MHz宽域可调,脉冲宽度窄至0.01μs-10μs连续设定,频率稳定性≤±0.03%,波形畸变率<0.8%,可精准匹配不同半导体材料(硅、氮化镓、碳化硅)的蚀刻需求,保障蚀刻线条均匀光滑;二是高精度能量投递,采用数字化多闭环反馈控制算法,峰值电流0-150A精准可控,电流精度≤±0.1%,输出纹波系数≤0.05%,有效避免能量波动导致的加工缺陷,提升微纳结构尺寸精度;三是强抗干扰与洁净适配,集成EMC四级滤波模块,可抵御半导体车间复杂电磁环境干扰,采用无粉尘泄漏的密封式设计,适配百级洁净车间要求,设备防护等级达IP66,杜绝粉尘污染加工环境。
在场景适配与性能优化上,该单极性脉冲电源针对性突破:针对半导体干法蚀刻场景,定制脉冲能量梯度输出方案,通过精准控制脉冲参数调节蚀刻速率,蚀刻线条边缘粗糙度≤0.1μm,适配7nm及以下制程的辅助加工需求,保障芯片电路结构的精准成型;针对微纳结构加工场景,优化脉冲波形定制功能,支持方波、梯形波等多种波形输出,可根据微纳结构的复杂度灵活调整能量投递节奏,提升结构成型完整性;针对中小批量半导体研发企业,推出紧凑型实验室专用机型,体积较传统产品缩小45%,支持台式放置,配备可视化触控操作界面,支持多组工艺参数存储与快速调用,适配研发阶段多工况测试需求。
技术创新之外,苏州渊禄构建了“半导体高端加工专属”定制服务体系:前期技术团队深入半导体制造企业、科研院所,梳理加工材料特性、工艺精度要求、洁净等级标准等核心参数,结合GB/T 2900.65半导体术语标准及SEMI半导体设备规范,输出“脉冲参数匹配+洁净适配”个性化方案;中期采用严苛品控流程,产品需通过高频稳定性测试、长时负载运行、电磁兼容、洁净度检测等12项专项测试,定制周期控制在10-18个工作日,支持小批量试产与快速交付;后期提供“洁净车间调试+远程运维”服务,7×24小时响应技术咨询,为客户提供工艺优化建议与定期维护方案,保障半导体加工生产线稳定高效运行。
目前,该高精度窄脉宽单极性脉冲电源已在多个半导体加工项目落地应用:为某半导体芯片制造企业定制的20kW干法蚀刻专用电源,使蚀刻线条边缘粗糙度从0.3μm降至0.08μm,芯片良率提升38%;为微纳器件研发院所配套的10kW实验室专用电源,成功实现复杂微纳结构的精准加工,结构尺寸偏差≤±0.5nm,助力科研项目顺利推进;为第三代半导体企业定制的50kW碳化硅蚀刻电源,适配碳化硅材料的高硬度蚀刻需求,蚀刻效率提升42%,且加工过程无材料损伤。
未来,苏州渊禄将持续深耕半导体高端加工领域的单极性脉冲电源技术迭代,聚焦先进制程芯片、第三代半导体、柔性电子等新兴场景,研发更高频率、更高精度、更智能工艺联动的定制方案,以“高频精准、窄脉宽可控、洁净适配”的脉冲电源产品,助力半导体产业突破核心加工工艺瓶颈,加速高端半导体器件国产化进程。
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